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AZ431AK-BTR AZ431AK-BTR
AZ431AK-BTR中文资料第13页精选内容:数据表 13 2007年3月修订版2 BCD半导体制造有限公司可调节的精密分压调节器 AZ431-B机械尺寸 TO-92单位:毫米(英寸) 2.440(0.096) 2.640(0.104) 0.380(0.015) 0.550(0.022) Φ1.600(0.063) MAX 1.270(0.050) TYP 1.100(0.043) 1.400(0.055) 4.400(0.173) 4.700(0.185) 3.430(0.135) MI...
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AP2401B12KTR-G1 AP2401B12KTR-G1
AP2401B12KTR-G1中文资料第11页精选内容: 11 2009年10月修订版1. 4 BCD半导体制造有限公司数据表双LDO调节器 AP2401典型性能特征(续)图20.输出电压与结温的关系 -25 0 25 50 75 1.76 1.77 1.78 1.79 1.80 1.81 1.82 1.83 1.84结温( O C) 1.8V(通道1) V IN = 2.8V一世 OUT = 30MA -25 0 25 50 75 2.44 2.46 2.48 2.50 2.52 2.54 2.56结温( O C) 2.5...
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AH277A AH277A
AH277A中文资料第1页精选内容:补充输出霍尔效应锁定 AH277A 1 2006年7月修订版1. 2 BCD半导体制造有限公司数据表一般描述 AH277A是一款带输出的集成霍尔传感器专为电刷式电子换向而设计的驱动器,更少的直流电机应用.该设备包括一个ON-片式霍尔传感器,用于磁性传...
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AZ1085CS2-2.5TRE1 AZ1085CS2-2.5TRE1
AZ1085CS2-2.5TRE1中文资料第3页精选内容: 3A低压差线性稳压器 AZ1085C数据表 3 2013年1月修订版1 BCD半导体制造有限公司热保护 + - 对于可调输出,断开A1和A2,连接B. INPUT OUTPUT ADJ / GND A1 A2乙对于固定输出,连接A1和A2,断开B功能框图图3. AZ1085C的功能框图 3 2 1
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AS7812AT-G1 AS7812AT-G1
AS7812AT-G1中文资料第9页精选内容: 1A三端正激电压调节器 AS78XXA 9 2012年12月修订版2 BCD半导体制造有限公司数据表电气特性(续)参数符号条件敏典型马克斯单元输出电压 V OUT T J = 25 ℃ 7.84 8 8.16 V I OUT = 5MA至1A,V IN = 10.6V至23V, P D≤15W 7.7 8.3线路调整 V RLINE V IN = 10.6V至23V, I OUT = 500MA,T J = 25 ℃ 25 75毫�...
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AP3710P-E1 AP3710P-E1
AP3710P-E1中文资料第11页精选内容:用于离线适配器的低功率PWM控制器 AP3710数据表 11 BCD半导体制造有限公司 2008年8月修订版1.3功能说明(续) 7.短路保护内部短路控制可以保护开关电源在输出短路时被损坏发生.在图18中,VCC下降到低于关闭状态阈值,UVLO比较器的输出将会控制放电逻辑将VA端子拉至低�...
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AP3586BMP-G1 AP3586BMP-G1
AP3586BMP-G1中文资料第11页精选内容:数据表单相同步降压PWM控制器 AP3586A / B / C 2012年3月修订版1. 1 BCD半导体制造有限公司 11典型应用图16. AP3586A / B / C的典型应用电路
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AZ1117S-2.5 AZ1117S-2.5
AZ1117S-2.5中文资料第7页精选内容:电流模式PWM控制器 AZ2842 / 3/4/5数据表 1A低压差线性稳压器 AZ1117数据表 7 2005年10月修订版1 BCD半导体制造有限公司参数符号条件敏典型马克斯单元参考电压 V REF I OUT = 10MA,V IN -V OUT = 2V 10毫安 ≤我 OUT≤1A,1.4V≤VIN -V OUT≤8V , P ≤最大功耗 1.238 1.225 1.250 1.250 1.262 1.270 V线...
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AP2114D-2.5TRG1 AP2114D-2.5TRG1
AP2114D-2.5TRG1中文资料第10页精选内容:数据表具有使能的1A低噪声CMOS LDO调节器 AP2114 2013年1月修订版2 BCD半导体制造有限公司 10电气特性(续) AP2114-1.8电气特性(注2) (V IN = 2.8V,C IN =4.7μF(陶瓷),C OUT =4.7μF(陶瓷),典型T A = 25°C,粗体字适用于-40°C以上 ≤TA≤85 ° C范围,除非另有说明(注3)�...
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ACE2341 ACE2341
ACE2341 P沟道增强型MOSFET VER 1.3 3输入电容 C ISS V DS = -6V,V GS = 0V, F = 1MHZ的 700 PF的输出电容 C OSS 160反向传输电容 C RSS 120开启时间 T D(ON) V DD = -6V,R L =6Ω I D≡ -1.0A,V GEN = -4.5V R G =6Ω 15 25 NS T R 35 55关闭时间 T D(关闭) 60 90 T F 40 60典型特征输出特性转移特性 V DS - 漏源电压(V) V GS - 栅源电压(V)导...
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